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半导体plasma原理

半导体plasma原理:

伴随着当代电子器件生产技术的发展,Flip-Chip Bond 封装技术性获得了普遍的运用,但因为前端技术的需求,加工过程中不可避免会在基材上面残留一些有机化合物或别的污染物,在烘焙全过程中,Ni元素本来金pad镀层下面也会也会被挪到表层,假如不除去污染物,便会造成 Flip-Chip Bond工艺中芯片上的bump跟pad键合全过程中效果欠缺,粘接欠佳不好的效果。


传统式的清理加工工艺如cfc清理、ods清理因为污染环境、成本费用高,限制了当代电子器件安装技术性的进一步发展,特别是精密的机器设备生产半导体晶圆制造等,所以干试清洗尤其是plasma等离子清洗技术是现在发展趋势。plasma技术清洗有二种方式,即等离子对材料表层的反映。常见气体,如氩(ar)、氮(n2)等。二是氧自由基的化学变化,普遍的气体是氢(h2)、氧(o2)等。ar等离子是靠冲击性破坏了有机化合物的离子键,去除表层污染物。当工作压力较低时,离子的能量越高,动能越高,冲击越大,如果是用物理反应来清洗,反映应在较低的工作压力下开展,实际清洗效果更强。


挑选氩气作为plasma的清洗的气体时,氩气等离子技术的清理原理是运用颗粒物机械能开展清理,氩气为惰性气体,在清洗过程中不会造成产品与气体产生化学反应,避免二次污染,能够合理地除去因为前端加工工艺所留有的残渣,进而使半导体在键合全过程中可以融合。与传统式的湿式清理加工工艺对比,它更环境保护、价格更低。

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